SK하이닉스, 용인 클러스터 투자 확대…AI 반도체 생산 거점 강화

SK하이닉스가 AI 반도체 생산 거점으로 조성 중인 용인 반도체 클러스터에 21조원 이상을 추가 투자하며, 대규모 투자 계획을 본격화했다. 

이번 투자는 1기 팹 건설을 가속화하고, 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요 급증에 대응하기 위한 것이다. SK하이닉스는 용인 클러스터를 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 성장시켜 메모리 경쟁에서 주도권을 확보한다는 계획이다.

SK하이닉스는 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 5개 추가 구축에 21조6081억원을 투자하기로 결정했다. 

투자 기간은 2024년 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 1기 팹과 클러스터 초기 운영을 위해 9조4000억원을 투자한 바 있어, 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 확대됐다.

이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고, 전체 클린룸을 구축하는 데 활용될 예정이다. 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 클린룸 오픈 시점은 기존 2027년 5월에서 2027년 2월로 앞당겨질 예정이다. 

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다.

또한 국내외 소부장 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하고, 총 600조원 규모의 투자를 단계적으로 집행할 계획이다. 

지난해 2월 1기 팹을 착공하여 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다. 1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공하여 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 목표다.

SK하이닉스 측은 “추가 시설투자비 집행은 회사의 대규모 투자 계획이 본궤도에 올랐음을 보여준다”며 “앞으로도 고객의 중장기 수요 전망과 기술 발전 속도를 종합적으로 반영한 투자로 시장의 성장 방향을 예측하고 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 

또한, SK하이닉스는 오는 3월 25일 정기주주총회에서 차선용 미래기술연구원장을 사내이사로 선임할 예정이다. 차 사장은 D램 개발 전문가로 2022년부터 미래기술연구원을 이끌고 있다.