SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 31조 원 투자 확대

SK하이닉스는 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 발맞춰 용인 반도체 클러스터 1기 팹 완공을 위한 대규모 추가 투자를 확정하며, 생산 인프라를 확대하여 반도체 초격차 확보에 주력한다. SK하이닉스는 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈 2∼6기 건설에 총 21조6081억 원을 투자하기로 결정했다. 투자 기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지이다.

클린룸은 먼지와 불순물을 완전히 제거한 공간으로, 민감한 반도체 제품 생산에 필수적이다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영을 위한 부대시설 건설에 9조4000억 원을 투자한 바 있으며, 이번 투자를 통해 용인 팹 건설에 투입되는 총 금액은 31조 원에 달한다. SK하이닉스는 경기 용인 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모의 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다.

또한 SK하이닉스는 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하여 총 600조 원 규모의 투자를 단계적으로 집행할 계획이다. SK하이닉스는 생산 역량을 조기에 확보하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 체계를 구축하는 데 목표를 두고 있다.

SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 활용할 수 있도록 준비하고 있다. 또한, 애초 계획보다 공장 규모를 확대하고 극자외선(EUV) 노광 장비를 비롯한 첨단 장비를 도입하여 AI 메모리 수요의 지속적인 증가에 대비할 방침이다.

국가첨단전략산업법에 따라 산업단지 용적률이 기존 대비 최대 1.4배까지 완화되면서 클린룸 면적도 확대되었으며, 생산 준비도 당초 계획보다 앞당겨지고 있다. SK하이닉스는 효율적인 공정 관리를 통해 클린룸 오픈 시점을 기존 2027년 5월에서 같은 해 2월로 약 3개월 앞당길 수 있을 것으로 예상한다.