SK하이닉스, HBM 발열 제어 'iHBM' 기술 공개

SK하이닉스가 HBM 패키지에 일체형 냉각요소 ICE를 적용하여 발열을 획기적으로 줄인 iHBM 기술을 선보였다. 이 기술은 HBM의 성능 향상과 함께 커져가는 발열 문제를 구조적으로 해결하는 데 초점을 맞췄다. 

SK하이닉스는 이번 기술을 통해 고대역폭메모리 시장에서의 경쟁력을 강화하고, 고객사의 시스템 설계 유연성을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다.

HBM은 적층 단수 확대와 고속화로 성능이 향상되지만, 동시에 발열 관리 부담도 커지고 있다는 평가를 받아왔다. 

특히 HBM과 GPU를 연결하는 D2D PHY 구간의 발열 밀도를 효과적으로 제어하는 기술이 차세대 HBM 기술 경쟁력의 핵심으로 떠오르고 있다. SK하이닉스는 iHBM 기술을 통해 이 문제를 해결하고, 고성능 컴퓨팅 시스템의 안정성을 높이는 데 주력한다.

기존 HBM은 열을 코어 다이를 거쳐 외부로 내보내는 간접적인 방식에 의존했지만, iHBM은 발열이 가장 집중되는 D2D PHY 영역 안에 열 제어 소자인 ICE를 넣어 열이 빠져나갈 수 있는 전용 경로를 확보했다. 

ICE는 전기는 통하지 않지만 열 전도가 높은 실리콘 소재를 활용하여 HBM 패키지 내부의 열을 효율적으로 배출하는 역할을 수행한다.

iHBM 기술은 기존 HBM 대비 열저항을 30% 이상 낮추고, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 유지할 수 있다는 장점을 지닌다. 

또한, 이미 시장에서 검증된 어드밴스드 MR-MUF 기반 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 공정을 적용하여 안정적인 대량 생산이 가능하다. 이는 고객사의 기존 시스템 인 패키지(SiP) 환경과의 높은 설계 호환성을 확보하여 적용 부담을 낮추는 데 기여할 것으로 보인다.

SK하이닉스는 iHBM 기술을 통해 고성능 컴퓨팅, 인공지능, 데이터센터 등 다양한 분야에서 고성능 메모리 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 기대한다. 

또한, 이 기술은 차세대 HBM 시장에서 경쟁 우위를 확보하고, 고객사의 기술 혁신을 지원하는 데 중요한 역할을 할 것으로 전망한다. 

앞으로 SK하이닉스는 iHBM 기술을 지속적으로 발전시키고, 고객과의 협력을 통해 더욱 혁신적인 메모리 솔루션을 개발해나갈 계획이다.