삼성전자, HBM4 세계 첫 양산으로 AI 메모리 시장 선도

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM) 6세대(HBM4) 양산 및 출하에 성공하며 AI 반도체 시장에서 기술 주도권을 확보했다. 

SK하이닉스와 마이크론을 제치고 최신 인공지능(AI)칩에 탑재될 차세대 메모리 반도체를 대량 생산하며 시장 경쟁에 불을 붙였다. HBM4는 엔비디아 ‘루빈’과 AMD ‘MI450’ 등 차세대 AI 칩에 탑재될 핵심 부품이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 데이터 처리 용량과 속도를 높인 제품으로, AI 칩의 성능 향상에 필수적이다. 

삼성전자는 HBM4에 6세대 D램 미세 공정(1c)을 적용해 반도체 회로 선폭을 10나노미터(nm)급으로 구현했다. 이는 5세대 공정(1b)을 적용한 SK하이닉스보다 한 단계 앞선 기술력이다. 

반도체 공정이 미세해질수록 집적도가 높아져 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율이 높아지지만, 수율 관리가 더욱 어려워진다.

삼성전자는 이번 HBM4 양산 및 출하를 통해 그동안 제기된 시장의 우려를 잠재웠다는 평가를 받는다. HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스 다이(기판)’에도 성능과 전력 효율에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 

국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 초당 8기가비트(Gb)보다 46% 높은 초당 11.7Gb의 동작 속도를 안정적으로 확보했다.

삼성전자는 올해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 증가할 것으로 예상하며, 하반기에는 차세대 HBM 7세대(HBM4E) 샘플도 출하할 예정이다. 

또한 내년부터 고객 요구에 맞춘 맞춤형 HBM도 선보일 계획이다. 2028년 가동 예정인 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산 핵심 거점으로 삼아 생산 능력을 더욱 확대할 예정이다.

이번 HBM4 양산 출하를 통해 삼성전자는 빅테크 고객사들의 인정을 받는 데 성공했다는 평가를 받는다. 설 연휴 이후 출하 예정이었으나 설 전에 앞당겨 진행된 것은 엔비디아 등 고객사의 요청에 따른 것으로 알려졌다. 이러한 빠른 대응은 삼성전자의 기술력과 생산 능력을 입증하는 사례로 평가된다.